Влияние границы раздела на процессы в конденсированных средах
Физическое состояние поверхности и ее влияние на электрофизические характеристики полупроводников особенно важны в микроэлектронике, где подавляющее большинство элементов — пленочное, т. е. состояния поверхности подчас превалируют над объемными. Сама поверхность кристалла—это нарушение периодичности, т. е. непрерывный ряд дефектов. Эти дефекты возникают, во-первых, из-за отрыва на поверхности химических связей (уровни Тамма) и, во-вторых, вследствие адсорбции различных примесей (кислорода, воды и т. д.) на поверхности полупроводника. Очевидно, реальная сложная структура поверхности характеризуется набором поверхностных состояний, т. е. дополнительными энергетическими уровнями в запрещенной зоне донорного и акцепторного типа или ловушек.
Суммируя вышесказанное, выделим основные четыре причины, из-за которых наличие границы раздела приводит к видоизменению физических явлений в конденсированных средах и к возможности их практического использования в радиотехнических системах:
1) в приповерхностном слое определенной толщины могут быть локализованы поверхностные электронные состояния и квазичастицы, свойства которых существенно отличаются от объемных;
2) сами объемные характеристики вещества изменяются по мере того, как размер кристалла в одном из направлений становится сравнимым с одной из характеристических длин: длиной свободного пробега, длиной экранирования, длиной волны электрона и т.д.;
3) на границе двух фаз имеет место их специфическое взаимодействие и влияние одной фазы на другую, например туннелирование электронов из полупроводника в оксид: гибридизация — взаимодействие и обмен электронами между металлом и полупроводником и т. д.;
4) приповерхностные области полупроводника являются, как правило, областями сильных электрических полей, величинами которых можно управлять при создании ряда микроэлектронных и оптоэлектронных систем.
В случае возникновения юридических проблем лучше всего обратиться к специалистам. Подходящая юридическая консультация поможет решить возникшие проблемы.
AllPhysics.ru
Комментарии
Отправить комментарий