AllPhysics.ru

Выращивание эпитаксиальных пленок соединений АIIIBV является одной из наиболее актуальных проблем технологии современной микроэлектроники. Решение этой задачи неразрывно связано с прогрессом в областях создания оптоэлектpoнныx систем, включающих полупроводниковые лазеры, приемники излучения, быстродействующие компьютеры и т. д.

Для получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия из парогазовой смеси используют реакции с водородом газообразных хлоридов и гидридов. Наряду с летучими соединениями мышьяка в систему может подаваться и ряд других соединений элементов, которые могут легировать образующиеся эпитаксиальные слои.

К принципиальным технологическим преимуществам гидридов, обусловливающих их применение в технологии микроэлектроники, можно отнести;
1. Возможность получения летучих гидридов большинства элементов, применяющихся в полупроводниковой микроэлектронике.

2. Удачное сочетание свойств гидридов, способствующих их сравнительно легкой очистке от примесей, основанной на фазовых переходах жидкость—пар, твердое тело—пар и твердое тело—жидкость.

3. Наибольшее, по сравнению с любым другим химическим соединением, содержание основного компонента.

4. Малая реакционная способность гидридов по отношению к конструкционным материалам технологической аппаратуры, что резко снижает вероятность загрязнения исходной смеси.

В то же время высокая токсичность гидридов, их взрывоопасность, склонность к спонтанному распаду в газовой фазе при определенных условиях значительно усложняют аппаратуру, в которой они используются.

Если вам предстоит поездка в Минск, то можно воспользоваться услугой квартира на сутки в Минске. Снять квартиру в Минске не так сложно, к тому же проживание в квартире удобнее, чем в гостиничном номере. Такой вариант будет оптимальным для vip поездок.