AllPhysics.ru

СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК, полупроводник с очень большой концентрацией примесей (или структурных дефектов крист. решётки), когда расстояние между соседними примесными атомами столь мало, что перекрываются их силовые поля и волновые функции локализованных вблизи них электронов. В результате в С. п. возникает примесная зона, сливающаяся с ближайшей к ней собств. зоной проводимости или валентной зоной. Потенциальная энергия ξ носителя заряда в С. п. зависит от координат сразу многих атомов примеси и из-за флуктуации в распределении примесных атомов оказывается случайной величиной. Из-за наличия случайного поля квазиимпульс р носителей не сохраняется, так что понятие дисперсии закона ξ(р) имеет смысл лишь на достаточно больших расстояниях от краёв зон.

В С. п. даже при Т=0 К электропроводность s¹0. Плотность состояний постепенно убывает в глубь запрещённой зоны («хвост» плотности состояний), В С. п. возможно поглощение света частоты w<ξ_g/ћ, ξ_g— ширина запрещённой зоны. Коэфф. поглощения в этой области частот экспоненциально убывает с ростом величины ξ_g-ћw (п р а в и л о У р б а х а). При отсутствии компенсации (см. Компенсированный полупроводник) С. п. вырождены. С. п. используются в туннельных диодах, светоэлектрических диодах, инжекционных лазерах, датчиках Холла, устойчивых к ядерному излучению, тензометрах и т. д.

• Ф и с т у л ь В. И., Сильно легированные полупроводники, М., 1967; Бонч-Бруевич В. Л., Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников, в кн.: Физика твердого тела, под ред. С. В. Тябликова, М., 1965 (Итоги науки. Физика); Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М., 1981.

Э. М. Эпштейн.