AllPhysics.ru

ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ заряда в полупроводниках, электроны проводимости в полупроводниках n-типа и дырки в полупроводниках р-типа. В невырожденном собственном ПП равновесные концентрации эл-нов n и дырок р равны: n=р=n_iºÖ(N_cN_v)exp(-ξ_g/2kT), где N_c и N_v — эфф. плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, ξ_g — ширина запрещённой зоны. Величина n_i зависит только от темп-ры Т и давления. В примесных ПП n и p связаны соотношением: np=n²_i. Т. о., при увеличении равновесной концентрации основных носителей (напр., при легировании ПП соответствующей примесью) концентрация неосновных носителей убывает и наоборот. В неравновесных условиях (напр., при освещении ПП) может увеличиваться концентрация как основных, так и неосновных носителей. Основные носители определяют тип проводимости ПП (электронный или дырочный). В равновесных условиях концентрация неосновных носителей обычно мала (<<n_i). Внеш. воздействиями (освещением, облучением быстрыми ч-цами, инжекцией носителей заряда и т. п.) её можно увеличить во много раз. На этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Концентрацию основных носителей определяют, измеряя электропроводность и коэфф. Холла (см. Холла эффект), а также магнитооптич. методами. Концентрацию неосновных носителей определяют, измеряя ток через электронно-дырочный переход и др. • См. лит. при ст. Полупроводники.

Э. М. Эпштейн.