КАНАЛИРОВАНИЕ
КАНАЛИРОВАНИЕ заряженных частиц в кристаллах, движение ч-ц вдоль «каналов», образованных параллельными рядами атомов. Ч-цы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами атомов, удерживающих их в этих «каналах» (рис. 1). Если траектория ч-цы заключена между двумя ат. плоскостями, то говорят о плоскостном К., в отличие от
аксиального К., при к-ром ч-ца движется между соседними ат. рядами или цепочками. К. было предсказано нем. физиком И. Штарком в 1912 и обнаружено лишь в 1963—65. К. тяжёлых ч-ц (протонов, положит. ионов) наблюдается при их энергиях, больших неск. кэВ. При этом длина волны де Бройля ч-цы

мала по сравнению с постоянной крист. решётки, и К. может быть описано законами классич. механики. Для К. необходимо, чтобы угол, образуемый вектором скорости ч-цы с осью цепочки (или плоскостью канала), не превышал нек-рого критич. значения yк, определяемого ф-лой:
yк=Ö(Z1Z2/ξd) ,
где Z1 и Z2— заряды движущейся ч-цы и ядер атомов цепочки, ξ — энергия ч-цы, d — расстояние между соседними атомами цепочки. Напр., при аксиальном К. протонов с энергией ξ=0,5 МэВ в монокристалле вольфрама (Z2=74e, e — заряд протона, d=3•10-8 см) yк=2,3°, а мин. расстояние rк между траекторией ч-цы и осью цепочки равно: rк=0,3 Å (рис. 2). Все ч-цы, падающие на цепочку под углом y<yк, будут зеркально отражаться от неё.

Рис. 2. Рассеяние ч-ц на цепочке атомов: y — угол падения ч-цы на цепочку; yк — критич. угол.
Электронная плотность в каналах меньше, чем в среднем в кристалле, и длина пробега ч-ц значительно больше, чем вне его. Ч-цы могут выходить из канала в результате рассеяния на структурных дефектах решётки.
В случае К. эл-нов существенно влияние их волн. св-в и отрицат. заряда. При К. релятивистских заряженных частиц возникает интенсивное электромагн. излучение (в гамма- и рентгеновских диапазонах). Для электронов и позитронов оно появляется при энергии ~1 МэВ.
• Тулинов А. Ф., Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы, «УФН», 1965, т. 87, в. 4, с. 585; Линдхард Й., Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 249; Томпсон М., Каналирование частиц в кристаллах, пер. с англ., там же, с. 297; Меликов Ю. В., Тулинов А. Ф., Ядерные столкновения и кристаллы, «Природа», 1974, № 10, с. 39; Б а з ы л е в В. А., Ж е в а г о Н. К., Генерация интенсивного электромагнитного излучения релятивистскими частицами, «УФН», 1982, т. 137, в. 4.
Ю. В. Мартыненко.
Спонсор статьи: Все мы любим подарки. Хорошо купить подарок заранее. Поэтому стоит уже задаться вопросом что подарить на праздник.
AllPhysics.ru