AllPhysics.ru

ФРАНЦА—КЕЛДЫША ЭФФЕКТ, сдвиг границы (края) собств. поглощения света в полупроводнике в сторону меньших частот в присутствии внеш. электрич. поля. Теоретически предсказан нем. физиком В. Францем (W. Franz) и Л. В. Келдышем (1958), и экспериментально обнаружен в Si В. С. Вавиловым и К. И. Брицыным (1960). В отсутствие электрич. поля краю поглощения соответствует частота света w=ξ_g/ћ, где ξ_g—ширина запрещённой зоны. В электрич. поле Е вследствие туннелирования (см. Туннельный эффект) эл-нов из валентной зоны в зону проводимости край поглощения размывается и становится возможным поглощение света с частотой w<ξ_glћ. Эффективный сдвиг края зоны Dξ~(е²Е²ћ²/m*)^1/3, где е — заряд эл-на, m*— его эффективная масса. Одновременно с коэфф. поглощения меняется и показатель преломления. Ф.— К. э. используется для модуляции оптич. излучения.

• Панков Ж., Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ., М., 1973; Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, 1975; Тягай В. А., Снитко О. В., Электроотражение света в полупроводниках, К., 1980.

Э. М. Эпштейн.