AllPhysics.ru

ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. Шотки барьер) или др. полупроводником (см. Электронно-дырочный переход, Гетеропереход) при запорном направлении приложенного напряжения U (плюс на n-области). Уменьшение концентрации Dn неосновных носителей по сравнению с равновесной n₀ изменяется с расстоянием х до контакта экспоненциально:

где L — диффуз. длина носителей,

е — заряд носителей.

Э. М. Эпштейн.