AllPhysics.ru

БУРШТЕЙНА—МОССА ЭФФЕКТ, сдвиг края области собств. поглощения света полупроводником в сторону высоких частот при увеличении концентрации эл-нов проводимости и заполнении ими зоны проводимости. Так, в кристалле InSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при T=300 К) длине волны l_кр=7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5•10¹⁸см^-3 l_кр=3,2 мкм. Б.— М. э.— следствие Паули принципа: оптич. квант. переходы возможны лишь при условии, что состояние, в к-рое переходит эл-н, не занято др. эл-ном. Установлено независимо друг от друга амер. физиком Э. Бурштейном (Е. Burstein) и англ. физиком Т. С. Моссом (Т. S. Moss) в 1954.

• М о с с Т., Оптические свойства полупроводников, пер. с англ., М.,1961; Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, 1975; Панков Ж., Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ., М., 1973.

Э. М. Эпштейн.