AllPhysics.ru

Эпитаксия, как технологический процесс, несомненно остается неотъемлемой частью производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Этот процесс позволяет получать профили легирования, которые невозможно обеспечить иным путем.

Со временем будут широко использоваться автоэпитаксиальные кремниевые структуры. Однако для разработки схем с высокими плотностью элементов и быстродействием необходимо воспользоваться преимуществами КНИ-технологии, метода направленной боковой кристаллизации. Использование МЛЭ в производстве СБИС с применением ионного легирования позволит существенно улучшить параметры приборов. Продолжительность высокотемпературных операций при производстве СБИС невелика, что позволяет использовать возможности легирования, предоставляемые МЛЭ.

Наблюдаемая в настоящее время тенденция к уменьшению толщины эпитаксиальных слоев для создания биполярных и униполярных интегральных схем, несомненно, приведет к дальнейшему совершенствованию эпитаксиальной технологии и более глубокому изучению эффекта автолегирования. Значительным достижением было бы получение эпитаксиальных слоев без загрязнений.


При активных занятия спортом важно знать информацию в своём физическом состоянии. Для этого используются различные технические устройства, например, пульсометры. Современные пульсометры умеют не только следить за пульсом, но и подсчитывают калории, а также сохраняют статистические данные о состоянии организма.