Общие вопросы кристаллизации из расплава

Подавляющее большинство кристаллов, нашедших применение в квантовой электронике, выращивается из жидкого состояния, а именно; из расплава или из раствора. Причем кристаллизацией из расплава выращивается более половины технически ценных монокристаллов. Веществами, монокристаллы которых наиболее пригодны для выращивания из расплава, являются те, которые плавятся без разложения, не имеют полиморфных переходов и характеризуются низкой химической активностью по отношению к материалом контейнера, кристаллизатора и газам. Кристаллизация из расплава сопровождается рядом физикохимических процессов, среди которых можно выделить четыре основные группы:

1) процессы, влияющие на состав расплава: термическая диссоциация исходного вещества, его химическое взаимодействие с окружающей средой, испарение продуктов диссоциации и примесей, содержащихся в расплаве;
2) процессы на фронте кристаллизации, определяющие кинетику фазового перехода;
3) процессы теплопереноса, определяющие распределение температуры в кристалле и расплаве;
4) процессы массопереноса, и, в особенности, перенос примесей, обусловленный конвекцией и диффузией в расплаве.

Кристаллы из расплава обычно растут либо по механизму нормального, либо послойного роста. Часто при кристаллизации действуют оба эти механизма. Присоединение атомов к "атомношероховатой поверхности (по механизму нормального роста) с макроскопической точки зрения происходит в любом месте так что растущая поверхность перемешается вдоль нормали параллельно самой себе. «Атомногладкие» поверхности (послойный рост) растут путем последовательного отложения слоев, т.е. путем тангенциального перемещения ступеней. Движущей силой кристаллизации является стремление системы к минимуму свободной энергии.

Не секрет, что Китай на сегодняшний день является лидирующим экспортёром во всём мире. Не удивительно, что услуги на контейнерные перевозки из китая так востребованы. Контейнерная перевозка - это оптимальный способ доставить груз с минимальными финансовыми затратами.

Комментарии

Отправить комментарий

Содержание этого поля является приватным и не предназначено к показу.
CAPTCHA
This question is for testing whether you are a human visitor and to prevent automated spam submissions.
Image CAPTCHA
Введите символы (без пробелов) с картинки