AllPhysics.ru

Процесс выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы обычно включает следующие основные этапы.

1. Подготовка пластин с выбранной ориентацией подложки и заданной степенью совершенства поверхности.
2. Очистка системы для выращивания от посторонних веществ.
3. Загрузка пластин в реактор.
4. Продувка реактора инертным газом и водородом.
5. Нагрев пластин и создание в реакторе условий их газового травления с целью очистки пластин и удаления нарушенного механической полировкой поверхностного слоя.
6. Создание условий для проведения режима осаждения пленок.
7. Подача реагентов для осаждения и (в случае необходимости) легирования эпитаксиальной пленки.
8. Прекращение подачи реагентов и продувка системы водородом.
9. Снижение по заданной программе температуры в реакторе до полного выключения нагрева.
10. Продувка системы инертными газами.
11. Разгрузка реактора.

В настоящее время ведутся интенсивные работы по созданию полностью автоматизированных систем, обслуживающих данный цикл в оптимальном режиме.
Оптимизация процесса эпитаксиального выращивания невозможна без детального рассмотрения движения смеси в реакторе.

Любому помещению требуется освещение. Для освещения комнат можно использовать люстры. Люстры в минске можно приобрести через интернет-магазин.